Etude des caractéristiques des émetteurs p+ réalisés lors de la métallisation de la face arrière des cellules solaires de type-n.

Abstract

Aujourd'hui, la métallisation avec les pâtes d'aluminium par la sérigraphie est couramment utilisé dans l'industrie photovoltaïque pour la formation du champ de surface arrière (BSF) dans les cellules solaires à base de silicium de type p. Au cours des dernières années, il est devenu un intérêt croissant pour la recherche dans le domaine photovoltaïque et le développement de cellules solaires à base de silicium de type n où la région dopée à l'aluminium est applicable en tant qu'émetteur p+ en face arrière. Ce concept de cellule n+np+ à jonction arrière présente le grand avantage qu'aucune modification substantielle dans le process de fabrication des cellule à base de silicium type p n'est nécessaire, en particulier la mise en oeuvre d'une diffusion de bore à haute température. Dans le même temps, il permet d'exploiter les excellentes propriétés électriques des plaquettes de silicium de type n pour fabriquer des cellules solaires à haut rendement simples et réalisables industriellement. Dans ce travail, on va s’intéresser sur la réalisation des émetteurs p+ à partir de la diffusion de l’aluminium dans le silicium lors de la métallisation de la face arrière des cellules solaires à base de silicium de type n. plusieurs paramètre seront mis en compte, en particulier les profils de températures utilisés dans le four RTP, pour étudier les différents émetteurs obtenus. Différentes technique de caractérisation seront utilisées dans le cadre de cette étude, à savoir : l’ECV et la SIMS, le MEB et L’EPMA.