Effet d’Indium sur les propriétés de SnO2

Abstract

Nous avons choisi le SnO2 comme mat´eriau d’´etude en raison de ses propri´et´es intrins`eques qui offrent de nombreuses possibilit´es d’application. De plus, il existe un grand nombre d’articles scientifiques qui traitent et ´etudient tous les aspects de ce mat´eriau, t´emoignant de son importance et de l’int´erˆet qu’il suscite dans le monde scientifique. En dopant le SnO2, nous pouvons ´etendre encore plus les possibilit´es en modulant ses propri´et´es ou en ajoutant d’autres propri´et ´es. L’indium, en raison de ses propri´et´es ´electriques, est un excellent candidat pour le dopage. Notre travail se rapporte `a l’´elaboration et la caract´erisation des couches minces de SnO2 pur et de SnO2 dop´e `a l’indium avec diff´erents pourcentages (5%, 10%, 15% et 20%) par ´evaporation thermique sous vide. Nous avons ´etudi´e l’influence des effets de dopage de l’indium sur les propri ´et´es structurales, optiques et ´electriques des couches minces de l’oxyde d’´etain en utilisant respectivement la diffraction des rayons X (DRX), un spectrophotom`etre UV-Vis et la mesure `a quatre pointes. Les ´etudes par DRX montrent que les couches d´epos´ees ont une structure polycristalline (t´etragonal de type rutile), ainsi que la formation de phases de SnO et In2O3. `A partir du spectre de transmission obtenu par le spectrophotom`etre UV-Vis, les r´esultats montrent que nos couches minces ont une tr`es bonne transmittance dans le visible, allant jusqu’`a 93%. Les valeurs de l’´energie de gap optique varient entre 3,44 eV et 3,58 eV. Les r´esultats de la caract´erisation ´electrique par quatre pointes montrent que le dopage `a l’indium a fait diminuer la r´esistance carr´ee des couches minces de 942 Ω cm2 `a 30 Ω cm2 lorsque le pourcentage en indium varie de 5% `a 20%.